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靶材提純方法
在VLSI的制造過程中重復使用的濺射過程是一種物理氣相沉積（PVD）技術，并且是制備電子薄膜材料的主要技術之一。
歐凱的目標指出，濺射過程中離子源產生的離子被加速并在高真空中積聚，形成高速能量離子束，轟擊固體表面，并且在離子之間發生動能交換。 固體表面原子。 固體表面上的原子離開固體，并沉積在基材表面上。 被轟擊的固體是用于通過濺射方法沉積薄膜的原材料，被稱為濺射靶。
濺射靶材的種類很多，甚至相同材料的濺射靶材也具有不同的規格。 根據不同的分類方法，濺射靶可分為不同的類別。主要分類如下：
按形狀分類：長目標，方形目標，圓形目標
按化學成分分類：金屬靶材（純金屬鋁，鈦，銅，鉭等），合金靶材（鎳鉻合金，鎳鈷合金等），陶瓷靶材（氧化物，硅化物，碳化物），硫化物 等）
按應用領域分類：半導體芯片目標，平板顯示器目標，太陽能電池目標，信息存儲目標，I修改目標，電子設備目標，其他目標。
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